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ORICO Gen3 0x4 Dissipatore Velocità Contenuti in offerta 19,94€

Home Costo ORICO Gen3 0x4 Dissipatore Velocità Contenuti

Offerta esclusiva di Amazon | Codice prodotto: b0cwgkvc41

Informatica > Dispositivi archiviazione dati > Dispositivi archiviazione dati interni > Unità a stato solido interne

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  • ORICO 256G NVMe SSD M.2 PCIe Gen3.0x4 2280, 3D NAND Interno SSD (con Dissipatore di Calore), Velocità fino a 1800 MB/s, Unità a Stato Solido Interne per Studenti/Creativi di Contenuti- J10
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Capacità di archiviazione digitale 256 GB
Interfaccia disco rigido Solid State
Tecnologia di connettività NVMe (PCIe)
Marchio ORICO
Caratteristica speciale Portatile
Fattore di forma disco rigido 22 Centimetri
Descrizione disco rigido Unità a stato solido
Dispositivi compatibili Desktop, console da gioco, laptop, smartphone, tablet
Tipo di installazione Interno
Dimensioni disco rigido 256 GB
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Informazioni su questo articolo

  • Prestazioni di Picco: Tecnologia NVMe (PCIe Gen3 x4) che offre velocità di lettura fino a 1800MB/s e velocità di scrittura fino a 1300MB/s (le prestazioni possono variare in base alla configurazione hardware e del sistema)
  • 3D NAND: L'SSD NVMe ORICO J10 utilizza la tecnologia 3D NAND per migliorare ulteriormente la longevità e la stabilità del prodotto per carichi di lavoro pesanti e operazioni di lettura/scrittura continue
  • Raffreddatore in Alluminio Preinstallato: Aiuta a dissipare il calore e riduce il throttling, consentendo all'unità SSD di fornire prestazioni costantemente elevate fin dall'inizio, con un'efficienza di raffreddamento tre volte superiore a quella di un'unità SSD nuda
  • Supporto PC: Fattore di forma M.2 2280. Supporta S.M.A.R.T. con un meccanismo di gestione algoritmica intelligente integrato con funzioni che garantiscono l'efficienza operativa per desktop e laptop, ideale per giocatori, tecnici e progettisti
  • Affidabilità e Stabilità: La stabilità delle SSD è uno dei valori chiave dei nostri prodotti, dopo 96 ore di test rigorosi per garantire che le SSD M.2 NVMe non si guastino. Questo include 16 ore di test di 1000 sleep, 48 ore di test continuo di lettura/scrittura, 16 ore di test della memoria flash ad alta temperatura, 4 ore di test delle prestazioni e 4 ore di test continuo di avvio del sistema
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