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ORICO Gen3 0x4 Dissipatore Velocità Contenuti in offerta 110,19€

Offerta esclusiva di Amazon | Codice prodotto: b0cg1rp338

I diritti sulle foto appartengono a: Amazon

  • ORICO 2TB NVMe SSD M.2 PCIe Gen3.0x4 2280, 3D NAND Interno SSD (con Dissipatore di Calore), Velocità fino a 3100 MB/s, Unità a Stato Solido Interne per Studenti/Creativi di Contenuti- J10
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110,19€
Capacità di archiviazione digitale 2 TB
Interfaccia disco rigido NVMe
Tecnologia di connettività PCIe
Marchio ORICO
Descrizione disco rigido Unità a stato solido
Dispositivi compatibili Computer portatile, Desktop
Tipo di installazione Interno
Usi specifici del prodotto Giochi, Personale
Componenti inclusi 1 * Manuale d'uso, 1 * SSD J10, 1 * Dissipatore di calore, 1 * Gilet di dissipazione del calore, 2 * Silicone conduttivo termico Mostra altro
Velocità di lettura 3.1E+3 Megabyte al secondo

Informazioni su questo articolo

  • Prestazioni di Picco: Tecnologia NVMe (PCIe Gen3 x4) che offre velocità di lettura fino a 3100MB/s e velocità di scrittura fino a 1600MB/s (le prestazioni possono variare in base alla configurazione hardware e del sistema)
  • 3D NAND: L'SSD NVMe ORICO J10 utilizza la tecnologia 3D NAND per migliorare ulteriormente la longevità e la stabilità del prodotto per carichi di lavoro pesanti e operazioni di lettura/scrittura continue
  • Raffreddatore in Alluminio Preinstallato: Aiuta a dissipare il calore e riduce il throttling, consentendo all'unità SSD di fornire prestazioni costantemente elevate fin dall'inizio, con un'efficienza di raffreddamento tre volte superiore a quella di un'unità SSD nuda
  • Alta Compatibilità: Fattore di forma M.2 2280. Supporta S.M.A.R.T. con un meccanismo di gestione algoritmica intelligente integrato con funzioni che garantiscono l'efficienza operativa per desktop e laptop, ideale per giocatori, tecnici e progettisti
  • Affidabilità e Stabilità: La stabilità delle SSD è uno dei valori chiave dei nostri prodotti, dopo 96 ore di test rigorosi per garantire che le SSD M.2 NVMe non si guastino. Questo include 16 ore di test di 1000 sleep, 48 ore di test continuo di lettura/scrittura, 16 ore di test della memoria flash ad alta temperatura, 4 ore di test delle prestazioni e 4 ore di test continuo di avvio del sistema